方案概述
功率半导体是电力电子系统的核心。普华德科技代理深鸿盛（HI-SEMICON）等品牌的功率器件产品线，覆盖高中低压MOSFET、超结MOS、SiC肖特基二极管与MOSFET、IGBT单管等，服务于电源、电机驱动、新能源汽车、光伏逆变器等领域。深鸿盛在国产功率器件领域拥有完整产品矩阵，其超结MOS单位面积电阻比同类产品低30%以上，第三代碳化硅MOS已批量应用于新能源领域。
主要产品线与型号
| 品牌 | 核心型号 | 品类 | 应用领域 |
|---|---|---|---|
| 深鸿盛 SHS | SFS2301B / SFU4N65E | 低压/高压MOSFET | 消费电子(12~150V)、工业电源(650V) |
| 深鸿盛 SHS | 超结MOS系列 | 超结功率MOS | PD快充、电源适配器，Rds(on)低30% |
| 深鸿盛 SHS | 第三代SiC MOSFET | 碳化硅MOS | 新能源汽车OBC/电驱、光伏逆变器 |
| 深鸿盛 SHS | SiC肖特基二极管 | SiC二极管 | PFC升压、光伏逆变器 |
| 深鸿盛 SHS | 快恢复/扩铂工艺MOS | 高速开关MOS | 高速电机驱动、LLC谐振电源 |
典型应用方案
PD快充适配器
深鸿盛超结MOS在PFC+LLC方案中替代常规MOS，效率提升2~3%，体积减小20%
新能源汽车OBC
SiC MOSFET(650V/1200V)+SiC二极管组合，OBC效率提升至96%+
工业电机驱动
扩铂工艺FRMOS用于电机驱动，开关损耗降低、高温稳定性强
光伏逆变器MPPT
SiC二极管+高压MOSFET PFC升压方案，适应大功率光伏系统
技术优势
- 深鸿盛超结MOS单位面积电阻低于同行30%
- SiC器件已通过车规级可靠性验证，批量供货
- 完整电压/电流覆盖：12V~1700V，一个品牌满足大部分功率需求
- 提供仿真模型、参考设计、FAE技术支持